其中，高压特色工艺功率芯片和 SiC 芯片研发及产业化项目，总投资金额20亿元，拟通过新建厂房及仓库等配套设施，购置光刻机、显影机、刻蚀机、 PECVD、退火炉、电子显微镜等设备，实现高压特色工艺功率芯片和 SiC 芯片研发及产业化。项目达产后，预计将形成年产 36 万片功率半导体芯片的生产能力。据介绍，项目实施主体为公司全资子公司嘉兴斯达微电子有限公司，计划建设周期为3年。
功率半导体模块生产线自动化改造项目，总投资金额7亿元，拟利用现有厂房实施生产线自动化改造项目，购置全自动划片机、在线式全自动印刷机、在线式全自动贴片机、在线式全自动真空回流炉、在线式全自动清洗机等设备，实施功率半导体模块生产线自动化改造项目。项目达产后，预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。该项目实施主体为嘉兴斯达半导体股份有限公司，计划建设周期为3年。
斯达半导体表示，公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造和测试。公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。公司在现有产品结构的基础上，充分考虑新能源汽车、轨道交通、智能电网等下游行业的需求以及技术方向，以公司现有的技术为依托，实施高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目。项目的实施有利于丰富公司的产品结构，进一步提升公司综合竞争力。
公司是国内IGBT行业的领军企业，生产的IGBT模块、SiC模块已获得包括新能源汽车客户在内的众多客户认可，进口替代比率持续提高。同时，随着新能源汽车、新能源发电等行业的需求拉动，以IGBT模块为代表的功率半导体模块呈现供不应求的局面。实施以IGBT、SiC模块为主的功率半导体模块生产线自动化改造项目，将进一步扩大公司产能，有助于企业把握市场机遇，提高市场占有率。
本次非公开发行股票募集资金部分用于补充流动资金，有利于缓解公司的资金压力，推进公司业务规模的拓展，保障了公司研发创新及业务扩张等活动的持续正常开展，可进一步优化公司的财务结构，有利于降低公司财务风险，提高公司的偿债能力和抗风险能力，保障公司的持续、稳定、健康发展。
