2月26日，格力电器（000651）公开了“碳化硅肖特基半导体器件”和“一种半导体器件”两项实用新型专利。
专利一：碳化硅肖特基半导体器件
该项实用新型名称为“碳化硅肖特基半导体器件”，专利申请人为：珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司，公开号为CN212625590U，发明人：林苡任、史波、陈道坤、曾丹。
据了解，电力电子技术已成为现代工业社会的重要支撑技术之一， 其中半导体技术， 尤其是碳化硅半导体器件， 更是被广泛应用于工农业生产、交通运输、 国防、航空航天、石油冶炼、 核工业及能源工业的各个领域。随着工业技术的发展， 提高效率成为了半导体技术重要的发展方向。提高效率， 意味着在获得同样的输出功率、 满足负载要求的情况下， 损耗更低，发热更少， 散热系统设计压力减轻。从长时能量消耗看， 可以降低电能的消耗， 达到节能减排的效果。
目前， 以碳化硅肖特基半导体器件为典型的碳化硅半导体器件在提高效率方面的措施是降低正向工作电压， 而现有降低工作电压的主要方法是提高外延层 (第二电子型半导体层)掺杂浓度和减薄外延层(第二电子型半导体层)厚度。然而， 提高外延层(第二电子型半导体层)掺杂浓度和减薄外延层(第二电子型半导体层)厚度虽然可以快速、有效地降低正向工作电压， 但是也会降低击穿电压， 对碳化硅肖特基半导体器件的反向工作特性产生不利影响， 影响了碳化硅肖特基半导体器件工作效率的进一步提高。
本项实用新型涉及一种碳化硅肖特基半导体器件，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。
该碳化硅肖特基半导体器件可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。
专利二：一种半导体器件
该项实用新型名称为“一种半导体器件”，申请（专利权）人为：珠海格力新元电子有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司，发明人：赵承贤、李鑫、高红梅 郑义、刘浩、盘伶。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体器件，其中，结构主要包括引线框架、引线框架外侧包裹的塑料壳体、引线框架外壁连接的引脚、引线框架内腔中安装有二者相互电性连接的芯片和二极管FRD；所述引线框架底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片，导热绝缘铜基树脂热片为铜层和导热绝缘层叠加连接；通过导热绝缘铜基树脂热片同时提供密封和导热，从而将引线框架内腔产生的热量直接散热出。
本设计的半导体器件在制作过程中，工艺也方便，采用热压方式，提供高导热的散热路径从芯片到应用端的散热器，而不需要额外的绝缘垫片来实现高功率密度与电气绝缘。
