当前，我国对IGBT(即绝缘栅双极型晶体管，被称为电力电子装置的“CPU”，是目前技术最先进、应用最广泛的功率半导体器件)的市场需求高居全球第一大位置，但供给仍主要依赖进口，对外依存度达到90%左右。需求缺口主要由例如英飞凌、三菱、富士电机等国际大厂来满足。随着我国新兴产业产能的高速增长，供需缺口问题越发明显，IGBT国产替代势在必行。
据了解，IGBT产业链可以分为四部分，分别为芯片设计、芯片制造、模块设计以及制造封测。2019年，我国工信部明确指出，在当前复杂的国际形势下，工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块的发展滞后将制约我国新旧动能转化及产业转型，进而影响国家经济发展。
近日，国际权威机构IHS Markit (中文名称：埃信华迈)研究预测，世界IGBT模块市场将以平均11.1%的增速持续增长，其中中国市场将以13.3%的增速冠绝全球。IGBT模块模块数将从2020年的2100万只增长到2023年的3000万只，金额将从2020年的14亿美元增长到2023年的20亿美元，而同期MOSFET预计是负增长，IPM(Intelligent Power Module，即智能功率模块)的增速只有2%。
IGBT模块拥有着巨大的市场空间。近日，记者就该份报告所反映的内容采访了上市公司赛晶科技集团创始人、董事会主席及执行董事项颉，尝试从他的分析中，进一步了解IGBT模块的市场空间及未来发展潜力。
项颉在电力电子行业方面拥有逾20年经验。他所创办的赛晶科技集团系世界领先的科技创新型企业，拥有多项技术专利，客户群覆盖诸多着名应用厂商，譬如国家电网，比亚迪等等。赛晶科技自2016年起就开始进行IGBT相关的研发性工作，目前已经完成了研发团队组建、首款产品的论证和设计、完善的供应链体系建立、启动自主IGBT生产基地建设等一系列工作。
记者：IGBT模块市场的走向将会如何？市场需求将集中在哪些应用场景？
项颉：中国市场IGBT模块的平均销售价格2020年为67.8美元，2023年预计为65.3美元。显示大电流、大功率的IGBT模块继续是市场需求主流。
从市场来看，EV(纯电动汽车)将成为IGBT模块的第一大应用场景，从2020年的4.64亿美元增长到2023年的8.34亿美元，年均增速28.8%；工业变频将继续保持第二的位置，从2020年的3.28亿美元增长到2023年的3.55亿美元，年均增速5.7%；新能源发电将保持第三的位置，从2020年的2.64亿美元增长到2023年的3亿美元。需要指出的是，光伏发电的需求占比将超过86%，年均增长达到11.3%，而风电是年均负增长9%。这三大领域的需求将占到中国IGBT模块市场需求的76.8%。
记者：目前，行业内对IGBT倾向于按照应用场景的电压等级加以分类，主要分为低压(600V以下)、中压(600V-1200V)和高压(1700V以上)三个主要电压等级。从电压来看，IGBT市场将呈现怎么样的分布？
项颉：从电压来看，600V-1200V的IGBT模块市场需求将从2020年的2.83亿美元增长到2023年的3.67亿美元，年均增速7.9%；1200V-1400V的IGBT模块市场需求将从2020年的7.57亿美元增长到2023年的10.49亿美元，年均增速17.2%；1700V的IGBT模块市场需求将从2020年的2亿美元增长到2023年的2.84亿美元，年均增速12.7%。600V-1700V的IGBT模块占到整个IGBT模块市场的87.7%。从电流来看，150A-900A的IGBT模块占整个IGBT模块市场的67%。
值得注意的是，SiIGBT+SiCDiode的混合模块将从2020年的2亿美元增长到2023年的2.65亿美元，年均增速10.8%；全SiC模块将从2020年的1.26亿美元增长到2023年的2.85亿美元，年均增速28.9%。
记者：IGBT产业一直以来处于不温不火的状态，而新能源汽车、智能电网改革全面提速让IGBT的需求爆发式增长。目前半导体产业链供需失衡的“多米诺骨牌效应”已经出现。在下游应用领域，IGBT模块是客户产品中的关键器件，由于替换成本较高，因此产品质量和稳定性十分重要。截至目前，我国IGBT厂商在技术、资金、品牌、人才等积累与国外厂商相比，仍然显得十分不足。但是，受益于国产替代需求，政府推动国产替代，扶持企业发展，已经成为未来的大趋势。据我了解，赛晶科技正在致力推出IGBT的自研产品，公司能否在缓解产业链紧张方面起到作用？
项颉：从目前的研发与生产进度看来，三年内，赛晶研发的芯片和模块技术将可以覆盖大部分IGBT模块市场。
