CREE将更名为 Wolfspeed，坚定拥抱第三代半导体

第三代半导体产业网特稿：2021年1月29日，CREE官方发布消息称：“我们预计将于 2021 年底正式更名为 Wolfspeed。”

 

CREE表示：“从 Cree 到 Wolfspeed，我们的团队对于创新和超越可能极限的承诺将始终不变。作为碳化硅 SiC 产业的全球引领者，我们已经做好准备，在未来赋能实现开创性的、高效节能的变革！”

 

目前，科锐是Wolfspeed功率和射频（RF）半导体的创新者。科锐Wolfspeed产品组合包括了碳化硅（SiC）材料、功率器件、射频器件，广泛应用于电动汽车（EV）、快速充电、逆变器、电源、电信、军事、航空航天等领域。
 

 

据了解，CREE成立于1987年。在1993年就成功登陆纳斯达克交易所。为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的着名制造商和行业领先者。Wolfspeed 是科锐旗下的一个部门--Wolfspeed Power & RF（功率与射频）部门。

 

Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州三角研究园，过去近三十年来一直属于Cree公司，是碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频功率解决方案的主要供应商之一。其核心竞争力包括碳化硅晶圆衬底制造，以及面向射频功率器件、包含单晶氮化镓层的碳化硅晶圆衬底制造。这些核心竞争力，加上超过500名技术精湛的员工，以及囊括大约2000项已经授予或正在申请的专利的强大知识产权组合。Wolfspeed生产的碳化硅芯片在电动和混合动力汽车市场又明显优势，在未来数年可能会逐渐取代传统芯片。

 

早在2015年，Cree营收就超过10亿美元，其中Wolfspeed部门营收贡献就超过2亿美元。在2015年9月，科锐曾宣布，将分拆旗下Wolfspeed Power & RF（功率与射频）部门，更名为“Wolfspeed”公司，并计划单独上市。但该分拆计划于2016年1月宣布被推迟。

 

然而，在射频方向拥有不错的表现德国半导体公司英飞凌，依赖于横向扩展金属氧化物半导体放大管、硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、砷化镓、锗化镓、锗化硅和射频CMOS等产品，英飞凌在布局未来的5G宏蜂窝基站、小蜂窝、回程链路和最终用户设备等，包括大规模MIMO方面有了先天的优势。

 

在2016年7月，英飞凌方面发布公告称，公司将斥资7.4亿欧元收购Cree旗下Wolfspeed功率和射频业务部（“Wolfspeed”），但最后因为美国海外投资委员会（CFUIS）以该笔收购案对于美国国家安全造成风险为由，最后于2017年2月17日正式确认双方拟议的交易被终止。

 

此项交易的被迫终止，并不能阻止两家公司半导体业务的深入融合。2018年2月28日，科锐宣布与英飞凌签署长期协议，为英飞凌生产和供应Wolfspeed SiC碳化硅晶圆片。该协议显示，科锐将向英飞凌供应150 mm SiC碳化硅晶圆片，将帮助英飞凌在包括光伏逆变器和电动汽车等高增长市场扩展产品供应。这项供应协议价值超过1亿美元，将帮助实现SiC碳化硅在包括光伏、电动汽车、机器人、充电基础设施、工业电源、牵引系统和变频器等领域更为广泛的应用。

 

双方合作还在进一步融合，在2018年3月6日合作发生“戏剧性”反转，Cree科锐宣布以3.45亿欧收购英飞凌的射频功率业务。科锐首席执行官Gregg Lowe表示：“这一收购将增强Wolfspeed在GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）射频技术的领先地位，并提供获得更多市场、客户和封装专长的机会。这是科锐增长策略的核心要素，将帮助Wolfspeed在实现更快的4G网络并向革命性5G技术演进的过程中占据有利地位。”

 

英飞凌首席执行官Reinhard Ploss表示：“科锐在业内享有很高的知名度，通过此次收购，成为我们射频业务强有力的新主人。此次交易基于很好的商业理由，我们看好此次并购业务的前景。同时，我们将更有效地将资源集中在英飞凌的战略增长领域，同时在无线市场保持强劲的技术组合。”

 

长久以来，英飞凌和科锐一直保持着技术领先地位、密切合作和共同商业利益。此次被收购的英飞凌射频团队和产能将成为科锐Wolfspeed的重要补充，带来更多的技术、设计、封装、制造、客户支持等相关的专长。这一业务将保持领先市场地位，提供同时基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）技术的晶体管和MMICs（单片微波集成电路），应用于无线基础设施的射频功率放大器。
 

 

 

CREE致力于成为碳化硅和氮化镓技术领域的领导公司，加速剥离出售LED业务，进一步坚定其转型和更加聚焦于第三代半导体战略。

 

在2019年3月15日，CREE宣布将出售旗下照明产品业务部门（“Cree Lighting”）给美国理想工业公司（IDEAL INDUSTRIES），包括用于商业、工业和消费者应用的LED照明灯具、灯泡以及商业照明解决方案业务；这笔交易税前约3.1亿美元。美国理想工业公司（IDEAL INDUSTRIES, INC.）是一个四代家族企业，也是一家不断发展壮大的全球性公司，是电力控制和管理领域的市场领导者。Cree Lighting以及科锐SmartCast智能照明系统也进一步完善了IDEAL先进控制业务以及供应商、分销商、代理和客户关系渠道。

 

根据公告，CREE延续了在2018年2月宣布的战略，旨在创建一家更加集中的的强大半导体公司，为Wolfspeed、其核心功率(Power)和射频(RF)业务提供发展基金，并为科锐提供额外资源以扩展其半导体业务。此项协议还使Cree Lighting在纳入IDEAL团队后获得更多全球关注、渠道支持以及投资，从而成为IDEAL的增长引擎。

 

CREE首席执行官 Gregg Lowe 表示：“Cree 旨在成为碳化硅和氮化镓技术领域的领导公司，而这一目标在过去 18 个月中取得了重大进展：Wolfspeed 增长了超过 100％，收购了英飞凌射频功率业务，使我们的碳化硅材料制造能力增加了一倍多，并签署了多项长期供应协议，总计超过 5 亿美元。加之如今照明业务的剥离，Cree 已成为一个更专注的半导体领导者。”

 

“CREE的技术处于汽车行业向零排放电动汽车过渡、电信行业转向更快的 5G 网络以及 LED 特种应用持续增长趋势的最前沿。我们在碳化硅和氮化镓领域的领先地位使我们能够充分利用这些技术为我们的客户提供的巨大优势。此次交易为加速 Wolfspeed 增长提供了大量资源，同时 Cree Lighting 业务渠道得以扩展和巩固，对业务本身和员工来说都是一个绝佳机会。我们相信这一决定有利于公司及我们的员工、股东和客户，因为它可以释放价值，增加对核心业务的管理重点，并支持我们加速碳化硅应用的使命。”Gregg Lowe 同时表示说。
 

 
 

CREE继续剥离LED业务的决策还在继续。2020年10月19日，CREE在其官网宣布与SMART Global Holdings, Inc.达成协议，计划将LED产品事业部出售给SMART，交易价格达3亿美金（预付款5000万美金，延期付款1.25亿美金以及或有对价1.25亿美金）。CREE作为LED产业最知名的品牌之一，主要产品包括LED芯片和封装器件。SMART是专用内存、存储和高性能运算解决方案的全球领导企业，服务于电子行业超过30年。本次交易还需获得监管机构的批准，并满足惯例成交条件，预计2021年第一季完成。交割后，SMART将把CREE LED的品牌纳入到SMART的业务组合里面。

 

CREE表示：“本次交易进一步明确了公司的战略定位，CREE将引领从硅到碳化硅的产业转型，并进一步增强公司的财务状况。基于此，CREE将持续投资半导体领域，充分利用涵盖新能源汽车、5G和工业应用领域在内的增长机会。”这宗交易完成后，成为CREE转型中的关键里程碑，代表CREE彻底告别LED和照明行业、聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓(GaN)材料和设备生产。

 

 

在收购、剥离LED照明业务的同时，其扩产计划也被提上日程。2019年5月7日， CREE宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
 

 
Cree North Fab
 

CREE首席执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显着扩大产能。与2017财年第一季度（也就是我们开始扩大产能的第一阶段）相比较，能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

 

这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

 

CREE首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC碳化硅制造超级工厂，将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。“科锐将在碳化硅 (SiC) 制造和研发方面继续加大投入，以支持全球范围内对于我们技术不断增长的需求。我们相信先进半导体制造对于引领加速关键下一代技术起着至关重要的作用。”Gregg Lowe先生如是说。

 

 

在过去的 25 年时间里，CREE 取得了诸多成功，包括实现更大尺寸的 SiC 衬底并消除其微管，以及将 SiC 二极管、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 推向市场。

 

据了解，CREE及旗下Wolfspeed在行业也取得诸多成就。包括：SiC功率器件市场份额最大，第一家商用SiC MOSFET的企业，第一家提供商业化SiC晶圆产品的，GaN射频器件市场第二，十年以上的GaN HEMT生产经验；提供GaN-on-SiC代工服务，改变了IDM业态。其中， SiC 产量在整个 SiC 材料市场超过了 60%。由于自 1989 年以来为 LED 业务提供了大量晶圆支持，在过去的 25 年里，已经为市场提供了超过96% 的SiC 晶圆。同时，也引领了SiC晶圆尺寸的由小变大，晶圆直径已经从 2 英寸发展到了 3 英寸、4 英寸、6 英寸以及现在的 200 毫米。2002 年，CREE推出了首个小型 SiC 肖特基 (Schottky) 势垒二极管，取得了各方面的成功。这为我们在 2011 年初推出首个商业化 SiC 功率 MOSFET 铺平了道路。

 

在射频领域，CREE也是不断开拓进取。早在1998 年，CREE就在射频 (RF) 领域取得首个重大突破，并展示了首个碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN-on-SiC HEMT)。时隔两年，CREE又展示了首个氮化镓单片微波集成电路 (GaN MMIC)。2008 年正式推出了首个 GaN 射频器件，利用 GaN-on-SiC 的优势，大大提升了射频性能。凭借高击穿电场，GaN 能够在非常高的电压下工作，从而在不损失可靠性的情况下获得高功率密度。CREE表示：“过去十年间，我们继续提升自身 GaN-on-SiC 射频器件性能。它们已广泛应用于航空航天和国防工业以提升各种系统性能，同时还应用于电信基础设施市场所需的更高效率的功率放大器。”
 

 

为了满足激增的需求，CREE 公司旗下 Wolfspeed在2021年1月份，新发布了 Wolfspeed WolfPACK，这种新型功率模块产品组合，在单一并紧凑的解决方案中，将 SiC 的诸多优势与最新的联接技术相结合。与市场上的多个分立式、非分立式和其他市售模块相比，该解决方案能够实现单位尺寸内功率最大化。Wolfspeed WolfPACK 为无基板产品，因此重量较轻。与传统的大功率基板模块相比，能够带来更小的设计尺寸。

 

随着新型 Wolfspeed WolfPACK 模块的推出，Wolfspeed 的功率产品组合现已覆盖整个应用范围，可为设计人员提供适合各种应用（从单千瓦设计到兆瓦系统）的解决方案。Wolfspeed WolfPACK 模块不仅能够提供出色的性能，还能提供卓越的灵活性和可扩展性。该模块的开发基于 Wolfspeed 业界领先的 SiC 技术，使其成为可靠的理想选择。

 

Wolfspeed 宣布新推出的 Wolfspeed WolfPACK™  功率模块，通过采用 1200V Wolfspeed® MOSFET 技术，该新型模块在简单易用的封装内实现效率最佳化，从而帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好的电源系统，并显着提升其效率和性能。扩展其解决方案范围，并为包括电动汽车快速充电、可再生能源和储能、工业电源应用在内的各种工业电源的性能开启新时代。

 

Wolfspeed 功率产品高级副总裁兼总经理 Jay Cameron 表示：“Wolfspeed WolfPACK™ 功率模块的推出，扩展了我们的功率产品组合，覆盖了高电压功率应用的更广范围。这将帮助一系列高增长产业的变革，伴随着全球从 Si 向 SiC 转型的持续加速。功率密度的最大化和设计复杂度的最简化对于在中功率领域工作的工程师至关重要。该新型模块简化了布局，帮助加快电动汽车快速充电和太阳能基础设施的生产。”

 

持续出色的创新研发与丰富的产品方案，让Wolfspeed在 SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务也获得广泛合作。在过去的几年里，Wolfspeed加速市场拓展步伐，通过一系列的业务合作为其发展提供持续动能。

 

2018年2月28日，CREE宣布与英飞凌签署长期协议，为英飞凌生产和供应Wolfspeed SiC碳化硅晶圆片。该项供应协议价值超过1亿美元，科锐将向英飞凌供应150 mm SiC碳化硅晶圆片，将帮助英飞凌在包括光伏逆变器和电动汽车等高增长市场扩展产品供应。同年4月，为了加速这类新市场的增长，科锐正在对用于GaN氮化镓电源管理系统的GaN氮化镓功率器件专利开展授权。CREE宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议，Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合，包括了超过300项已授权美国和国外专利，涵盖了HEMT（高电子迁移率场效晶体管）和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升，以及封装技术。这一专利授权不包括技术转让。

 

2019年5月14日，CREE成为大众汽车集团FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴，该合作将助力加速EV电动汽车市场转型。9月7日，CREE宣布与安森美半导体签署多年期协议，将向安森美半导体供应价值8500万美元的先进150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，用于EV电动汽车和工业应用等高速增长的市场。9月9日，CREE与德尔福科技宣布开展汽车碳化硅（SiC）器件合作。

 

2019年11月5日，CREE与德国采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布达成战略合作，双方达成战略合作协议，推进采用SiC基逆变器的电驱动动力总成开发，开发业界领先的高效率电传动设备。11月18日，CREE与ABB电网事业部宣布SiC合作，共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。协议内容包括在ABB种类齐全的产品组合中将采用科锐Wolfspeed SiC基半导体，这将助力科锐扩大客户基础，同时加快ABB进入正在快速扩大的电动汽车（EV）市场。11月19日，CREE宣布与意法半导体签署多年协议，将为意法半导体STMicroelectronics生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。该协议包括，在目前这一碳化硅（SiC）功率器件非同寻常的增长和需求时期，科锐将向意法半导体供应价值2.5亿美元的先进150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，帮助提升意法半导体SiC（碳化硅）在汽车应用和工业应用中的渗透。

CREE首席执行官Gregg Lowe表示：“SiC所带来的性能提升，对于电动汽车以及包括太阳能、储能和不间断电源UPS系统在内的下一代工业解决方案至关重要。CREE始终致力于引领半导体产业从Si向SiC的转型。与意法半导体协议的延伸，将保证我们可以满足在全球范围内诸多应用领域对于SiC基方案加速增长的需求，同时加速这一市场。”

 

小结：目前，CREE正在纽约州 Marcy 建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂，将满足车规级标准和 200mm 工艺。与此同时，位于公司总部北卡罗莱纳州达勒姆市的超级材料工厂 (mega materials factory) 的建设也在进行之中。这一全新的制造工厂将显着提升用于 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 业务的产能，将建设成为一座规模更为庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。

 

相信，CREE这次彻底更名为 “Wolfspeed”也顺应公司当前业务发展战略，在经过彻底剥离LED及照明产品业务，通过收购、扩产和广泛市场合作，让其成为更加纯粹的第三代半导体公司，业务更加聚焦于功率和射频（RF）半导体领域。随着新型 Wolfspeed WolfPACK 模块的推出，Wolfspeed 的功率产品组合现已覆盖整个应用范围，可为设计人员提供适合各种应用（从单千瓦设计到兆瓦系统）的解决方案。Wolfspeed WolfPACK 模块不仅能够提供出色的性能，还能提供卓越的灵活性和可扩展性。与此同时，在全球激增的市场需求下，让我们也对Wolfspeed未来的发展和市场表现充满期待！（文/Jack Chen）