1月24日，苏州工业园区科技领军人才企业苏州纳维科技有限公司举行总部大楼奠基仪式。项目占地面积超1.4万平方米，总建筑面积超3.4万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。
苏州工业园区党工委副书记、管委会主任丁立新，中科院苏州纳米所书记、副所长邓强，苏州市科技局原党组书记吴伟澎，园区党工委委员、管委会副主任倪乾，园区科技创新委员会主任徐积明等参加活动。
苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾在致辞中表示，感谢纳维科技十多年来，扎根园区的坚守与付出。他表示，此次开工奠基，标志着纳维科技的发展再迈上新台阶。园区也将始终坚持创新引领，推动包括第三代半导体在内的新兴产业创新发展，一如既往做好亲商服务，助力纳维科技在内的优秀企业加速成长，为创新企业提供更广阔的舞台，帮助其尽快做大做优做强。
据了解，苏州工业园区作为国内产业链较完整、企业集聚度较高、人才储备和技术开发水平较领先的区域之一，园区经过多年发展，已形成以“设计-晶圆制造-封装测试”为核心，以设备、原材料及服务产业为支撑的集成电路产业链，在MEMS、化合物半导体、光通信等细分领域拥有较好的产业基础，并持续加大第三代半导体相关产业链和创新链布局。
据了解，苏州工业园区作为国内产业链较完整、企业集聚度较高、人才储备和技术开发水平较领先的区域之一，园区经过多年发展，已形成以“设计-晶圆制造-封装测试”为核心，以设备、原材料及服务产业为支撑的集成电路产业链，在MEMS、化合物半导体、光通信等细分领域拥有较好的产业基础，并持续加大第三代半导体相关产业链和创新链布局。
第三代半导体产业是我国具有“创新主动权”的新兴产业，是推动5G、新能源等战略性产业发展的关键基础，作为其中的杰出代表，纳维科技自成立以来致力于第三代半导体产业核心关键材料氮化镓单晶衬底的产业化开发。
苏州纳维科技有限公司2007年由中科院苏州纳米所徐科研究员创立，致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化。企业始终秉承技术创新，持续做大做强，经过十多年努力，率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键核心技术，成为国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业，产品性能国际领先，并先后获得苏州市首届姑苏双创人才、园区首批科技领军人才企业等荣誉。
苏州纳维科技有限公司董事长徐科表示：“总部大楼奠基标志着纳维科技将在市场、生产、研发全面发力。纳维科技能够得以快速发展，完全得益于苏州这片沃土，在苏州纳维科技的总部基地,我们将一如既往、继续深耕细作，努力实践每亩200万元税收的先行先试，打造出国际前三的GaN单晶衬底的研发基地与高端产品生产基地！”
