青铜剑科技集团及旗下基本半导体、青铜剑技术、青铜剑能源科技、英博国际创新、中欧创新中心等公司负责人出席仪式，共同见证这一重要时刻。
据介绍，青铜剑第三代半导体产业基地是深圳市2020年重大项目，位于坪山区丹梓大道与光科三路交汇处西南角，占地8073.79平方米，总建筑面积近5万平方米，预计2022年底完工。该基地将作为青铜剑科技集团总部，同时建设第三代半导体研发中心、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等，最终形成国内领先的具备全产业链研发和生产制造能力的第三代半导体产业基地。
资料显示，青铜剑科技由清华大学和剑桥大学博士团队创立于2009年，是一家IGBT驱动技术和电量传感技术企业，总部位于深圳高新区，在北京、上海、南京、青岛设有子公司。自2016年起，青铜剑科技就成为了中国中车的供应商。2018年，中国中车旗下的中车时代投资日前与青铜剑科技签署战略投资协议，加快了青铜剑科技在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)驱动领域的研发，助力以中国高铁为代表的中国高端制造拓展海内外市场。
深圳青铜剑技术有限公司曾成功研发中国首款大功率IGBT驱动ASIC芯片，推出IGBT标准驱动核、即插即用型驱动器、碳化硅驱动器等全系列产品，以及新能源汽车电驱功率模组、光伏风电多并联集成驱动等解决方案。产品通过UL、ISO9001、IATF16949等认证，广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等多个领域，是中国中车、中船重工、国家电网、阳光电源、金风科技、特变电工等三百多家知名企业的核心零部件供应商，并与英飞凌、富士电机、三菱电机等国际知名企业建立了战略合作关系。
值得注意的是，青铜剑科技控股(持股约35.76%)的深圳基本半导体有限公司(以下简称“基本半导体”)也是国内第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。基本半导体掌握了碳化硅的核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等产业全链条，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平，应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等领域。
去年年底，基本半导体完成了数亿元人民币的B轮融资，该轮融资由闻泰科技领投，深圳市投控资本、民和资本、屹唐长厚等机构跟投，原股东力合资本追加投资。
