近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办的功率电子器件及封装技术分会上，日本丰田汽车公司功率半导体顾问、PDPlus LLC总裁、ISPSD2021大会主席滨田公守带来了超窄体（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑战性结构的主题报告，分享了最新的研究成果。
UNB-MOSFET:sicmosfet是一种侧壁具有横向传导特性的横向沟道sicmosfet。p-体被设计成非常窄，以避免在其体中形成任何耗尽区。该结构类似于FinFET结构，应用于4H-SiC-MOSFET。制备的UNB MOSFET沟道区的体宽为55nm。UNB结构显著提高了迁移率，达到200cm2/Vs以上。结果表明，FinFET效应非常显著，导致了非常高的迁移率，从而显著提高了sicmosfet的沟道电阻。
GND-MOSFET:4H-SiC沟道MOSFET采用沟栅自对准技术在沟道下形成窄而深的p层，实现了高击穿电压、低导通电阻和低DS泄漏电流。该MOSFET的bvds为1080v，Ron，sp在25℃时为1.19mΩcm2，175℃时为2.04mΩcm2，Vth为4.0v，在900v（□9.6mm）时Idss为50na。通过阐明注入缺陷对漏电流的影响，采用一种简单的工艺实现了该结构，在所有注入步骤中均采用低温注入。
Kimimori HAMADA于1985年加入丰田汽车公司，1987年作为最初成员之一参与了TMC的内部半导体项目。负责功率MOSFET，BiCDMOS，IGBT和SiC MOSFET的器件开发。为丰田Prius混合动力汽车开发了所有IGBT器件。目前担任功率半导体顾问，并且是PDPlus LLC的总裁。他是日本电气工程师学会（IEEJ），日本汽车工程师学会（JSAE）和IEEE的成员。
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