近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由江苏南大光电材料股份有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司协办的“衬底、外延及生长装备”分会上，澳大利亚格里菲斯大学昆士兰微纳米技术中心研究员Jisheng HAN分享关于SiO2/SiC界面的物理机制的研究成果。报告显示，基于离子注入vdmosfet阈值电压不稳定性与沟道载流子迁移率下降之间的强相关性，不需要离子注入区的umosfet可以实现。
最先进的4H-SiC mosfet仍然存在性能（低沟道载流子迁移率和高阈值电压）和可靠性（阈值电压不稳定性）问题。这些问题被归因于存在于SiO2–SiC界面区域的大量电活性缺陷。报告综述了SiO2-SiC的物理机制。比较了SiO2/Si与SiO2/SiC的异同。介绍了氮在界面上的作用及其作为减少界面有害键的关键作用。最后回顾了目前的性能和可靠性现状。讨论了提高4H-sicmosfet沟道迁移率和可靠性的技术和方法。
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