12月17日，南大光电公告，公司控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证。
认证评估报告显示，“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。”
“ArF光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02专项”的一个重点攻关项目，总投资6亿元，项目完全达产后，预计实现约10亿元的年销售额，年利税预计约2亿元。本次产品的认证通过，标志着“ArF光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。
光刻胶是半导体光刻工艺的核心材料，决定了半导体图形工艺的精密程度和良率，其质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻胶作为半导体芯片制造过程中的核心材料之一，经过紫外光、电子束等照射，光刻胶得到曝光，化学性质发生改变，经过显影液的洗涤，图案会留在衬底上。光刻胶分为KrF(248nm)、ArF(193nm)和EUV(13.5nm)几种，括号中的数值为曝光光源的波长。
与此相对的，作为高精尖的半导体制造核心材料，由于技术壁垒和客户壁垒高，全球半导体光刻胶市场集中度高，市场被美日公司长期垄断。日本的JSR、东京应化、信越化学及富士电子四家企业占据了全球70%以上的市场份额，处于市场垄断地位。
按不同制程，半导体用光刻胶可分为EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶及G线、i线光刻胶，前三者均为高端光刻胶产品，产业信息网数据显示，截至2019年国内在g线/i线光刻胶仅达到20%自给率，而KrF光刻胶自给率不足 5%，ArF光刻胶则完全依赖进口。研发进度上，EUV光刻胶为目前市场上最高端的光刻胶，目前国内还未开始涉及，但在ArF光刻胶、KrF光刻胶领域，除了南大光电外，国内已有众多企业相继开启研发。
南大光电主要从事高纯电子材料研发、生产和销售，通过承担国家重大技术攻关项目并实现产业化。目前，公司形成MO源、电子特气、光刻胶及配套材料以及ALD/CVD前驱体材料等业务板块。本次通过客户认证的产业化意义大。本次验证使用的50nm闪存技术平台，在特征尺寸上，线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求，该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。
南大光电表示，目前与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中。同时，ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，其在应用工艺的改进、完善等方面的表现，都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。
