期间，由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办的功率电子器件及封装技术分会上，深圳第三代半导体研究院研究员杨安丽分享了抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计的研究成果。
“双极型退化”是目前影响4H-SiC双极型器件稳定工作的重要问题。报告介绍“双极型退化”的起源及相应的解决方案。以万伏级的超高压PiN二极管为例，详细介绍在衬底与外延层之间如何设计合适的“复合提高层”来抑制双极型退化。研究了器件工作电流密度和“复合提高层”少子寿命对设计“复合提高层”的影响。结果表明，在一定的工作电流密度下，“复合提高层”少子寿命越短，所需“复合提高层”厚度越薄。并通过实验结果，比较了N掺杂、N+B掺杂和N+V掺杂的“复合提高层”对PiN二极管“双极型退化”的影响。
杨安丽历任日本电力中央研究所（CRIEPI）特任研究员，日本国立材料研究机构（NIMS）SPring-8 BL15XU博士后研究员。主要研究方向围绕宽禁带半导体材料生长表征及应用。曾参与了中国国家863项目、日本科学振兴机构（JSTA:基于元素战略的智能材料创新）及日本科学技术厅和日本新能源及产业技术综合开发机构(NEDO：下一代电力电子/SiC功率器件)的研究项目，在APL、JAP、PRB等国际半导体领域著名期刊共发表SCI学术论文40余篇，其中第一作者论文16篇，申请国家发明专利3项。日本国立材料研究机构（NIMS）大会邀请报告一次，SiC领域国际顶级会议（ICSCRM 2017及ECSCRM2018）口头报告2次，并被大会选为亮点。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
