近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办的功率电子器件及封装技术分会上，浙江大学特聘副研究员任娜带来了SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究，分享了近期研究成果介绍，并分享了具体的SiC器件可靠性提升方法。
当前国际上650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3，随着技术的发展，元胞宽度持续减小，比导通电阻持续降低，器件性能超越Si器件，可靠性问题有待进一步改善。
我国SiC器件发展来看，现阶段水平，芯片实现4英寸小批量量产，采用平面栅结构技术路线，工艺技术和器件性能相当于国际上一代（Gen 2）的水平。未来发展方向：急需攻关6英寸SiC材料生长技术以及6英寸晶圆量产，沟槽栅工艺和先进栅氧工艺技术，并全面提升器件的可靠性。
SiC MOSFET器件目前仍然存在一系列可靠性问题，比如阈值电压漂移现象，短路承受时间较短，雪崩耐量较低，浪涌电流承受能力较差等。
器件技术迭代发展，器件可靠性提升方法，涉及结构优化、工艺改进、散热优化等三要素。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
