期间，由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办的功率电子器件及封装技术分会上，北京大学尹瑞苑博士做了题为“氮化镓MIS结构界面相关陷阱态：物性、表征及模型”的主题报告，D模式故障中的陷阱、门槽事故中的陷阱、MIS结构建模等角度分享了最新研究成果。
报告指出，界面性质是影响MIS结构的重要因素，可以通过AFM、XPS、TEM、EDX等手段进行检测。边界陷阱可以通过低频噪声、交流gm、准静态电容、阈值电压漂移测量来评估。同时考虑沟道电阻和边界陷阱效应的分布式网络模型很好地描述了大沟道电阻MIS二极管的阻抗频散特性。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
