期间，德国爱思强股份有限公司协办的“超宽禁带半导体技术”分会上，上海光学精密机械研究所研究员夏长泰分享了极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考。高品质氧化镓单晶之制备及其性能调控是实现氧化镓半导体材料与器件应用的基础，其中高质量、高效掺质技术是关键之一。氧化镓半导体的禁带极宽，n型半导体特性比较容易实现，目前已有几种方案可选；然而，p型掺质方案尚在积极探索中。报告讨论了在这一方面的具体实践，并就其未来发展趋势予以探讨。主要讨论氧化镓的n型新掺质方案及其结果，重点是掺质氧化镓的基本物理特性及其应用价值。
夏长泰博士是我国共晶转光材料研究之先行者，正积极推进该项研究在激光照明中的应用；自2004年底，即开始了氧化镓单晶体材料之研究，他提出了氧化镓晶体材料n型半导体掺质新方案，相关工作得到了国内外同行的关注和肯定。2017年，夏长泰研究员发起召开了我国首届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会，并积极呼吁：“在新时代，研究人员应提高专利意识。”
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
