近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，德国爱思强股份有限公司协办的“超宽禁带半导体技术”分会上，日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新分享了超宽带隙氧化镓的低温生长和表征的研究成果。
超宽禁带半导体（AlGa）2O3具有4.9（Ga2O3）到8.7ev（Al2O3）的可调带隙，是一种很有前途的光电材料。（AlGa）2O3基固态器件几乎是基于薄膜生长所产生的材料结构。因此，生长技术被认为是制备（AlGa）2O3基器件的关键之一。人们已经探索了各种各样的生长技术来沉积（AlGa）2O3薄膜，包括溅射、分子束外延、雾化学气相沉积、金属有机化学气相沉积和脉冲激光沉积（PLD）。在这些沉积方法中，PLD是一种很好的低温生长候选技术，由于PLD生长的动能相对较低，所以在PLD工艺中产生的动能相对较高。另一方面，氧等离子体是降低薄膜生长温度的有效辅助物质。因此，PLD与氧等离子体辅助相结合是一种非常有效的低温薄膜生长方法。报告分享了氧等离子体辅助PLD低温生长（AlGa）2O3薄膜。系统研究了衬底温度对薄膜结构和光学性能的影响。此外，还介绍了这些超宽氧化物半导体生长的最新进展。
郭其新博士现任日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任，电气电子系教授，博士生导师。分别于1990，1992和1996年在日本国立丰桥技术科学大学电气电子系获得学士，硕士和博士学位。主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。已在Nature Communications, Physical Review B, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters和Advanced Materials等期刊上发表SCI论文330余篇，H因子为44（Google Scholar）。
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