近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由中电化合物半导体有限公司协办的“微波射频与5G移动通信”技术分会上，荷兰Ampleon Netherlands B.V.的陈松带来了“研发转量产：射频功率器件量产阶段零失效目标下的挑战和实践”的主题报告。阐述了GaN射频功率技术，特别是实现零缺陷的制造卓越领域中的“什么”和“如何”。
GaN射频功率技术已经在商业应用中找到了自己的路，比如移动宽带基站放大器，以及最近用于5G应用的大规模MIMO。许多公司即将进入（或刚刚进入）产品量产阶段。然而，大规模生产并非一帆风顺。要在终端用户端实现高产量、零缺陷和高性价比的产品，还有相当多的技术挑战。报告在充分理解可靠性物理的基础上，阐述失效机理分析、筛选策略和试验条件优化等技术问题。还分享和讨论现实生活中的例子（最佳实践）。此外，还讨论了制造业未来的卓越挑战。
结合具体实例，报告指出，缺陷、筛选、产量成品率……是制造阶段实现零缺陷最重要的挑战性项目。对每一种缺陷及其位置，要彻底理解 其本证 和非本证 可靠性机理。 建立精确的非本征可靠性模型是设置合适筛选条件的关键。 精确的筛选条件一方面可以确保客户端的产品可靠性，同时也在本单位及供应商的质量改进过程中提供及时反馈。 通过PDCA循环推动量产成品率的提高也非常重要。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
