近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由中电化合物半导体有限公司协办的“微波射频与5G移动通信”技术分会上，复旦大学微电子学院研究员黄伟分享了面向5G/卫星通信应用的化合物半导体射频芯片技术研究进展。随着5G以及LEO低轨卫星商用化的快速发展，化合物半导体芯片产品已呈现出多功能、多样性和小型化的重要特征。报告结合该应用及其典型产品，介绍MMIC微波电路，分析GaAs、GaN微波固态器件的发展与趋势。
通信技术发展始终跟随着摩尔定律前进的步伐，以保证数据的交换与传输。香农定律指引通信技术、微波半导体芯片不断进步。基于行业发展需要，毫米波通信面向更高速度、更广覆盖、更低延时的无线接入应用。毫米波通信技术已被确立为5G 关键技术之一。基于波束化的应用，高通量卫星通信星座系统/5G通信的毫米波接驳与融合。
卫星通信系统对无线电信号进行放大和转发来实现信号传输。例如目前在轨道运行的第五代通信卫星－V重量约1.9吨，拥有12000多条双向话路。近年，卫星通信又向毫米波频段推进且获得显著进展，通信卫星的体积更趋小巧，通信容量则更大。目前地面的毫米波通信加速推进，移动终端的多天线技术以及电子相控阵技术的应用，促进前者与卫星通信的频段重合，即天地一体化通信。
微波功率半导体器件发展遵循着半导体技术的发展规律，射频功率器件Si-Bipolar于1947年诞生并在随后的二十年中取代了真空管。随后，Si-JFET等结型器件出现，但很快被在1960年研制的MOSFET射频器件所取代。在1970年代出现的以InP、GaAs为代表的III-V化合物半导体，因具有高电子迁移率保证HEMTs器件具有比Si射频功率器件有更高频率应用的高增益、高效率等性能指标。
黄伟教授长期从事特色工艺、第三代半导体应用研究与实用化技术开发，先后在香港科技大学、CETC从事博士后研究工作。曾在Motorola、CETC旗下的企业从事模拟半导体产品研发与企业孵化、运行管理等相关工作。多次获得省部级奖项，出版专著一部。先后获得国家外专局人才引智计划、江苏省双创千人计划等。
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