12月10日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“云南锗业”）公告披露，公司董事会同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称“鑫耀半导体”）接受哈勃科技投资有限公司（以下简称“哈勃科技”）以货币方式向其增资人民币3000万元，出资额折合注册资本3000万元，云南锗业放弃对此次新增注册资本的优先认缴出资权。
公告指出，作为鑫耀半导体公司股东，云南锗业对上述增资享有在同等条件下的优先认缴出资权。鉴于哈勃科技关联方系鑫耀半导体下游企业，引入哈勃科技有利于今后加强与下游客户的沟通与协作，促进其产品质量的提升和推动其市场开拓工作，符合全体股东利益，云南锗业同意放弃优先认缴出资权。
资料显示，鑫耀半导体成立于2013年9月，注册资本9547万元，经营范围包括：半导体材料销售；货物及技术进出口业务；半导体生产（限分公司经营）等。
云南锗业官网介绍称，鑫耀半导体立志于成为质量稳定产品可靠的III-V族半导体衬底生产企业，目前负责在云南国家锗材料基地建成一条年产砷化镓抛光晶片 30万片4英寸（或12万片6英寸）的单晶材料生产线以及一条年产5万片磷化铟衬底生产线。
根据公告，哈勃科技与鑫耀半导体及现有股东等各方签署了增资协议，哈勃科技以货币方式向鑫耀半导体出资3000万元，全部增资价款均计入鑫耀半导体的注册资本；鑫耀半导体接受哈勃科技的该等出资，并将其注册资本从9547万元增加到12547万元。哈勃科技有权且无需取得其他各方同意，指定其关联方替代哈勃科技完成本次增资。
本次增资前，鑫耀半导体的股权结构为：云南锗业持股70%、朱蓉辉持股15.71%、权以高持股14.29%；本次增资完成后，鑫耀半导体的股权结构为：云南锗业持股53.26%、哈勃科技持股23.91%、朱蓉辉持股11.96%、权以高持股10.87%。增资完成后，云南锗业仍为鑫耀半导体控股股东，仍保持对鑫耀半导体的实际控制权。
（来源：云南锗业公告截图）
公告指出，鑫耀半导体是专业从事半导体材料砷化镓及磷化铟衬底（单晶片）生产的企业，哈勃科技关联方中有专业的半导体芯片厂商，公司本次接受哈勃科技的增资主要目的是为了加强与下游厂商的沟通与协作，有利于鑫耀半导体产品质量的提升和推动其市场开拓工作，鑫耀半导体将向哈勃科技关联方提供砷化镓及磷化铟衬底，并保障供应，对方则通过对相关产品的实际应用为鑫耀半导体提供技术及产品验证上的反馈。
哈勃科技成立于2019年4月，是华为投资控股有限公司旗下全资子公司。作为华为旗下投资平台，哈勃科技自成立以来已投资了多家半导体产业链企业，其中包括三家第三代半导体材料企业山东天岳、天科合达、瀚天天成。如今拟增资鑫耀半导体，哈勃科技的投资版图上将再添一家半导体材料企业。
