期间，由江苏南大光电材料股份有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司协办的“衬底、外延及生长装备”分会上，广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任、山东大学副教授彭燕带来了“SiC单晶材料及产业化进展”的主题报告。
一代材料决定一代器件，碳化硅材料具有禁带宽度越大，其热学本征激发需要温度越高，无需额外散热装置，减小整机体积等特质。
报告显示，电力电子SiC器件涉及高功率、高压领域，如新能源汽车、高铁运输、智能电网的逆变器等器件。技术发展&需求增加，yole报告指出SiC功率半导体市场规模的年均复合增速预计将达到38%。衬底材料涉及SiC substrate +epitaxy GaN 高能效LED；GaN高频大功率微波器件，应用雷达、武器和通信系统等方面。
碳化硅材料面临的挑战，主要来自成本与质量。其中，成本涉及150毫米和更大直径的碳化硅晶片以及成熟的技术，商用、高可靠性的产品。质量方面涉及低位错密度、低应力、P型衬底、生长和加工新技术等。
彭燕，凝聚态物理博士，山东大学副教授/博士研究生导师，广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任。2011年6月毕业于山东大学，同年加入晶体材料国家重点实验室工作。2017-2018年在美国田纳西大学做访问学者。主要从事宽禁带半导体材料研究工作，重点研究SiC、金刚石材料的制备、表征及应用研究，先后主持、参与国家基础研究计划、973、核高基及自然科学基金项目等10余项，发表SCI论文40余篇，申请/授权专利近30项。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
