期间，由华灿光电股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司共同协办的“Mini/Micro-LED新型显示技术”分会上，南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌做了题为“具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备”主题报告，分享了最新成果。
为增强空穴的注入效率，研究利用PA-MBE等离子体辅助分子束外延技术在C面绿光LEDs外延片上外延出GaN隧道结。该隧道结是由MBE生长的n++-GaN层和MOCVD生长的LEDs顶层p+-GaN层构成，这有利于实现陡峭的掺杂界面和超薄的耗尽区宽度，从而实现高效的带间隧穿。
研究将利用该方法制备出来的TJ-LED外延片制备成不同直径的微型LEDs器件。与传统结构微型LEDs器件相比，在I-V测试中，TJ结微型LEDs表现出更小的器件电阻。
此外，隧道结微型LEDs的相对EQE测试结果表明其具有更低的阈值电流密度，并且增强的EL强度和相对EQE值（在32 A/cm2的注入电流密度下增强了约41.5%）都表明隧道结的引入降低了绿光LED的droop效应，增加了器件的发光效率。在对不同直径的隧道结微型LEDs器件进行J-V测试研究表明LEDs顶部的n++/n+-GaN外延层可有效的实现载流子的注入。
刘斌长期开展III族氮化物半导体材料和微纳光电子器件研究，并兼任重点实验室/工程中心副主任，曾在英国谢菲尔德大学III-V族半导体国家实验室从事博士后研究，在中国香港中文大学、瑞典皇家工学院(KTH)等访问研究；主持国家重点研发计划与国家自然科学基金项目/课题10余项，目前已发表SCI学术论文180篇，申请/授权发明专利50余项，获国家自然科学基金委优秀青年基金，入选教育部青年长江学者。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
