电子科技大学刘成艺:n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt欧姆接触电极在空气中高温退火处理的失效机理研究

日期:2020-12-03 来源:第三代半导体产业网阅读:434
核心提示:由江苏博睿光电有限公司协办的“可靠性与热管理技术”分会上,电子科技大学刘成艺带来了关于n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt欧姆接触电极在空气中高温退火处理的失效机理研究的主题报告。结合具体的实验数据,分享了电气性能、失效机理研究的最新成果。
 近日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)与第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)在深圳会展中心召开。
刘成艺
期间,由江苏博睿光电有限公司协办的“可靠性与热管理技术”分会上,电子科技大学刘成艺带来了关于n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt欧姆接触电极在空气中高温退火处理的失效机理研究的主题报告。结合具体的实验数据,分享了电气性能、失效机理研究的最新成果。
从应用上来看,4H-SiC可以用于航空发动机压力监测的电容式压力传感器。具有高温、高压、高辐射的特点,输出电信号的高可靠性欧姆接触。从材料性能上看,4H-SiC最高工作温度1580℃,杨氏模量448gpa。SiC上Ti/TiN/Pt有低电阻,高工作温度的特点。也面临着很大的挑战,比如在空气中,欧姆接触在高达600℃的高温下会发生极大的退化,对SiC/Ti/TiN/Pt触头失效机理缺乏系统研究。研究中采用了不同热处理制备的接触试样和分析了样品的电学性能、微观结构和化学成分的实验方法。
其中,报告指出,其失效机理涉及TiO2颗粒物,SiO2和金属硅化物的峰型结构,锡的消耗,促进了钛和铂的扩散。金属化剥离,SiC氧化生成SiO2
(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
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