25日下午，功率电子器件及封装技术分会碳化硅专场如期举行。本届分会由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办。
分会期间，日本丰田汽车公司功率半导体顾问、PDPlus LLC总裁、ISPSD2021大会主席滨田公守，中电科五十五所教授级高工、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松，厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院前院长邱宇峰，浙江大学特聘副研究员任娜，贺利氏电子中国区研发总监张靖，重庆大学电气工程学院副教授曾正，华北电力大学副教授李学宝，深圳第三代半导体研究院研究员杨安丽等来自国内外科研院所、企业的精英代表带来精彩报告，分享前沿研究成果。浙江大学特聘教授，电气工程学院院长盛况和广东晶科电子股份有限公司董事长兼总裁肖国伟共同主持了本届分会。
日本丰田汽车公司功率半导体顾问、PDPlus LLC总裁、ISPSD2021大会主席滨田公守带来了超窄体（UNB）MOSFET”和“接地窄而深p（GND）MOSFET”的4H-SiC MOSFET的新挑战性结构“ 的主题报告，分享了最新的研究成果。
中电科五十五所高级工程师李士颜博士分享了碳化硅功率MOSFET研究进展，包括当前市场及应用，发展现状及趋势、关键技术等内容，报告指出，国际上SiC电力电子器件技术处于快速发展期，快速推进新能源汽车等领域的批量应用。国基南方SiC G1DMOS技术初步建立，正在进行650-1700V产品的市场推广，提升稳定供货能力。
厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院前院长邱宇峰带来了“碳化硅功率半导体器件在电力系统的应用”的主题报告，其中，报告指出，能源革命促进了电力电子装备在电网的广泛应用，进而从根本上改变电网形态；功率半导体器件的发展是推动力电网电力电子装备演进关键因素；碳化硅器件具有高结温、高电压、高频的特点，非常适合电网应用，其广泛应用将推动电网的电力电子化进程；碳化硅器件已在电网中低压场景得到了广泛应用，可提显著升装置效率、功率密度等关键指标；高压大功率碳化硅器件研制仍需突破电流密度、大尺寸衬底外延、低寄生参数封装，成品率等问题。
浙江大学特聘副研究员任娜带来了SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究，分享了近期研究成果介绍，并分享了具体的SiC器件可靠性提升方法。
贺利氏电子中国区研发总监张靖分享了用于SiC功率器件的先进封装解决方案，报告指出，每片芯片面积功率密度的增加需要散热性更好的材料；功率越大，包装材料的载流能力越强；工作温度升高导致可靠性挑战。
重庆大学电气工程学院副教授曾正分享了碳化硅功率模块的先进封装测试技术的最新进展，报告指出，功率半导体行业涉及跨学科交叉，包括很长的产业链，是复杂的系统工程，环环相扣，晶圆材料、芯片制造、封装测试、应用集成等缺一不可；先进封装技术是发挥SiC器件优异性能的关键；先进测试技术是表征SiC器件电热性能的关键；急需产-学-研的协同创新，人才、资本、技术和市场的有机整合。
华北电力大学副教授李学宝带来了“高压SiC器件封装绝缘问题及面临的挑战”的主题报告，介绍了正极性方波下封装材料的沿面放电特性、封装用硅凝胶在宽温度范围内的绝缘特性、正极性重复脉冲电压下电场动态特性分析。
深圳第三代半导体研究院研究员杨安丽分享了抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计的研究成果。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
