第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。与此同时，5G移动通信发展如火如荼，随着新基建等利好政策的释放，产业将迎来新的发展契机，拥有更多的可能性。
2020年11月23-25日，第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办。南方科技大学与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
其中，由中电化合物半导体有限公司协办的“微波射频与5G移动通信”分会，主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面。国内外知名专家齐聚，将呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
河北半导体研究所副所长蔡树军、苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千领衔担任本届分会主席，中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家陈堂胜、中兴通讯股份有限公司总工程师刘建利、日本德岛大学教授、西安电子科技大学教授敖金平、中科院半导体所研究员张韵、荷兰Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程师陶国桥。等来自产业链的中坚力量共同担任分会委员，提供坚实的支持。来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表将带来精彩报告，分享前沿研究成果。
期间，西安电子科技大学微电子学院副院长、教授马晓华将带来高线性氮化镓微波功率器件研究的主题报告。复旦大学微电子学院研究员黄伟将分享面向5G/卫星通信应用的化合物半导体射频芯片技术的最新进展。中兴通讯高级技术预研工程师蔡小龙将分享针对5G基站氮化镓射频HEMT的失效分析研究。中电化合物半导体有限公司研发总监唐军将分享SiC基GaN射频材料热阻的研究进展。荷兰Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程师陶国桥将带来“从实验室到晶圆厂：浅述GaN RF功率制造实现卓越的实践和挑战”的主题报告。河北半导体研究所高级工程师王毅将分享宽带高效S波段混合功率放大器的研究成果。南方科技大学深港微电子学院副教授汪青将分享Si基GaN射频器件的关键技术研究进展。西安电子科技大学微电子学院李杨将做”用于无线充电和功率传输的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器”的报告。
本届论坛紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯机遇·助力新基建”为主题，届时两场国际性盛会同台亮相，先进技术热点高度聚焦，政产学研用行业领袖齐聚，共商未来产业发展大计。
11月，深圳见！
会议具体信息如下：
时间：2020年11月25日下午14:00-17:30
地点：深圳会展中心 五层玫瑰厅1
更多大会详细设置与内容请参加大会官网：
http://www.sslchina.org/
部分嘉宾
分会主席：蔡树军 中国电子科技集团公司第十三研究所副所长
主要研究领域为硅，砷化镓和氮化镓等新型材料器件和电路。在国内外刊物发表专业文章近百篇。
分会主席： 张乃千 苏州能讯高能半导体有限公司董事长
2007年回国创办能讯半导体并任总裁。能讯是中国首家第三代半导体氮化镓电子器件设计与制造商业企业，自主进行氮化镓外延生长、晶圆制造、内匹配与封装等。
马晓华 西安电子科技大学微电子学院副院长、教授
长期从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的研究和人才培养，是国内较早开展宽禁带半导体氮化镓(GaN)基微波器件和电路的研究者。尤其是在高效率微波功率器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性和稳定性研究中取得了创新性和应用性的成果。先后主持“核高基”科技重大专项、“863计划”、自然科学基金重点项目等国家级项目20余项。研究成果获国家科技进步二等奖1项省部级一等奖5项；发表SCI论文120余篇，获国家发明专利授权80余件。
黄伟 复旦大学微电子学院研究员
长期从事特色工艺、第三代半导体应用研究与实用化技术开发，先后在香港科技大学、CETC从事博士后研究工作。曾在Motorola、CETC旗下的企业从事模拟半导体产品研发与企业孵化、运行管理等相关工作。多次获得省部级奖项，出版专著一部。先后获得国家外专局人才引智计划、江苏省双创千人计划等。
唐军 中电化合物半导体有限公司研发总监
有近10年从事氮化镓外延材料技术开发经验，在氮化镓基蓝绿光LED、UVC、硅衬底及碳化硅衬底氮化镓外延技术方面积累了丰富的材料生长经验。发表SCI论文6篇，申请发明专利30余件。
陶国桥 荷兰Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程师
曾就职于飞利浦照明，任首席质量工程师，专注于照明用的LED器件，模块及系统的可靠性。也曾就职于荷兰飞利浦半导体/恩智浦半导体，专攻器件物理，工艺开发，及可靠性，特别是在先进的嵌入式Non-Volatile Memory 技术。他是Philips/NXP 2T-FNFN 嵌入式快闪记忆体器件（flash device）的发明人。
汪青 南方科技大学深港微电子学院副教授
先后主持或主研了国家自然科学青年科学基金项目、中国博士后科学基金面上项目、广东省重大项目以及广东省计划项目等八项国家和省部级项目，2015年获得“东莞市特色人才”支持。 主要研究方向为GaN电力电子器件和射频器件，综合设计和制备适用于5G通讯 、电动汽车和智能电网等领域的GaN基器件，发表SCI/EI论文20余篇，受邀撰写了一本专业英文书籍重要章节，申请了二十余项发明专利，参与撰写氮化镓微波射频技术路线图（2020版），2019年获得第三代半导体产业技术创新战略联盟年度突出贡献奖。
