2020年Q3国内化合物半导体相关项目汇总

日期:2020-10-14 来源:化合物半导体市场阅读:479
核心提示:签约项目中科钢研SiC项目落户西安7月28日,西咸新区空港新城在北京和中科钢研节能科技有限公司、国宏中晶集团有限公司共同就碳化
签约项目
中科钢研SiC项目落户西安
7月28日,西咸新区空港新城在北京和中科钢研节能科技有限公司、国宏中晶集团有限公司共同就碳化硅半导体新材料及激光陀螺仪制造两个“高精尖”项目正式签订投资协议,此次签约的碳化硅半导体新材料及激光陀螺仪制造项目总投资18亿元,规划用地130亩,项目建成后年产值约16亿元。
 
露笑第三代半导体产业园落户合肥
8月9日,露笑科技发布公告称,公司8月8日与合肥市长丰县人民政府签署了共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园的战略合作框架协议,双方将在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园,包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产,项目投资总规模预计100亿元。
 
闻泰建中国首座12英寸车规级晶圆厂
8月19日,中国第一座12英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心项目正式签约落户上海自贸区临港新片区。项目总投资120亿元,预计达产后年产能36万片。
 
厦门电子信息产业发展大会项目签约
8月31日,厦门市电子信息产业发展大会上签约了78个项目,总签约金额达807.8亿元,涉及半导体与集成电路、计算机和通信设备、平板显示、软件信息服务等领域。其中,半导体和集成电路11个项目,签约金额为135亿元,包含了新型显示MicroLED和第三代半导体等多个领域。
 
百识第三代半导体项目落户南京
9月16日,第31届中国南京金秋经贸洽谈会上,投资30亿元的百识第三代半导体6英寸晶圆制造项目成功签约南京浦口。该项目拟用地80亩,建立第三代半导体外延片+器件专业代工,可以承接国内外IDM与designhouse的委托制作订单,串接国内上下游产业链,达到第三代半导体芯片国造的目标,产品主要应用于5G基站、电动车、雷达、快速充电器等。

砷化镓集成电路生产线项目落户江西
9月23日,赣州经开区举行项目集中签约仪式,总投资近45亿元的14个项目集中落户。分别是东宏光电科技股份有限公司6英寸砷化镓集成电路芯片生产线项目,赣州芯聚微电子有限公司芯片设计及封装测试项目等14个项目。

开工项目
哈尔滨科友半导体产学研聚焦区项目
7月3日,科友半导体产学研聚集区项目在哈尔滨新区江北一体发展区正式开工建设。该项目占地4.5万平方米,一期计划投资10亿元,主要建设中俄第三代半导体研究院、科友半导体衬底制备中心、科友半导体高端装备制造中心、科友半导体产品检验检测中心等项目。项目全部达产后,最终形成年产高导晶片近10万片,高纯半绝缘晶体 1000 公斤的产能;PVT-SIC 晶体生长成套设备年产销200台套。
 
南砂集团SiC材料与晶片生产项目
7月8日,南砂晶圆碳化硅单晶材料与晶片生产项目在广州南沙区开工。据悉,该项目选址万顷沙保税港加工制造业区块,总投资9亿元,将开展碳化硅单晶材料研发、中试等工作,发力高科技芯片领域。同时,建设科研办公综合楼、半导体厂房,扩大晶体生长和加工规模,增加外延片加工生产线,使业务从晶体生长、衬底加工延伸到外延加工环节。达产后年产各类衬底片和外延片共20万片,年产值将达13.5亿元。
 
长沙三安第三代半导体项目
7月20日,投资160亿元,占地面积1000亩的“三安光电第三代半导体产业园”,在长沙高新区启动开工建设。该产业园主要用于建设具自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。这里,也将诞生我国首条碳化硅全产业链产线。
 
10月7日,C2综合动力站日前已率先完成封顶,同时,项目最大单体建筑M2B碳化硅芯片生产厂房全面进入主体施工收尾阶段。
 
博蓝特第三代半导体SiC项目
7月23日,博蓝特第三代半导体碳化硅及蓝宝石衬底产业化项目在浙江金华开工。将智造与制造相结合,点燃新旧动能转换的“助推器”,开发区正全力扶持本地龙头企业加速向产业链高端攀登。新开工的项目计划总投资10亿元,分期建设,项目全部建成后预计每年新增营收12.5亿元,新增纳税1.18亿元,新增就业岗位500个。
 
露笑科技浙江绍兴SiC衬底片项目
7月30日,浙江露笑碳硅晶体有限公司新建碳化硅衬底片产业化项目在浙江绍兴开工。据悉,该项目计划总投资6.95亿元,项目主要采用碳化硅升华法长晶工艺及SiC衬底加工工艺,引进具有国际先进水平的6英寸导电晶体生长炉、4英寸高纯半绝缘晶体生长炉等设备,购置多线切割机、抛光机等国产设备,建成后形成年产8.8万片碳化硅衬底片的生产能力。
 
天科合达第三代半导体SIC衬底项目
8月17日,北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式在北京市大兴区黄村镇大兴新城东南工业区隆重举行。这是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目,总投资约9.5亿元人民币,总建筑面积5.5万平方米,新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线,项目计划于2022年年初完工投产,建成后可年产碳化硅衬底12万片。
 
常州武进化合物半导体项目
9月8日,2020年常州武进区重点项目集中开工暨新科人居智能舒适系统项目开工仪式在礼嘉镇举行。40个项目集中开工,总投资139.5亿元,年度计划投资32.5亿元。此次集中开工的项目,既有总投资30亿元的新晶宇高端化合物半导体项目、总投资19亿元的集成电路生态产业园等产业大项目,也有一批新兴产业、农业、民生项目。

投融资项目
天科合达科创板上市申请被受理
7月14日,上交所正式受理了北京天科合达半导体股份有限公司(简称“天科合达”)科创板上市申请。天科合达拟募集资金5亿元投建。本次募集资金投资项目第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目主要建设一个包括晶体生长、晶片加工和清洗检测等全生产环节的生产基地。项目投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片,其中6英寸导电型碳化硅晶片约为8.2万片,6英寸半绝缘型碳化硅晶片约为3.8万片。
 
氮矽科技获得千万级天使轮融资
7月29日,分离式氮化镓栅极驱动芯片及增强型氮化镓晶体管研发公司成都氮矽科技有限公司宣布获得千万级天使轮融资,由率然投资领投,鼎青投资跟投。氮矽科技已研发出三款产品:分离式高速氮化镓栅极驱动芯片(DX1SE-A)、650V增强型氮化镓MOSFET、氮化镓功率IC。
 
中晟光电获亿元投资
8月,中晟光电设备(上海)股份有限公司完成新一轮股票定向发行,由上海浦东科创集团有限公司领投,总募集资金1.13亿元,募集资金用于研发生产第三代半导体分立器件高端装备。本次定向发行除领投方浦东科创集团之外,参与认购还有海通盛阳、张江科投、中科创星、同祺投资、重庆冠达,中晟光电董事长兼总经理CHEN AIHUA(陈爱华)、副总经理陈晓等。
 
小米投资芯片公司睿芯微电子
9月8日,西安睿芯微电子有限公司(即“ 睿芯微电子”)新增投资人:湖北小米长江产业基金合伙企业(有限合伙),持股比例为 9.26%。小米产业投资部合伙人在采访时表示,“目前我们主要投资5G相关的射频器件、人工智能、第三代化合物半导体、先进制造设备(包括生产设备和检测设备)以及工业互联网的相关核心技术。”

光莆加快布局第三代半导体光电应用
9月14日,光莆股份发布公告宣布拟出资7500万参与投资产业投资基金,以加快公司在第三代半导体光应用领域战略布局落地。目前,基金尚处于筹备阶段。


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