20日，投资160亿元，占地面积1000亩的“三安光电第三代半导体产业园”，在长沙高新区启动开工建设。该产业园主要用于建设具自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。这里，也将诞生我国首条碳化硅全产业链产线。
第三代半导体材料及器件，是当前全球半导体材料产业的研究热点。其中，碳化硅、氮化镓是第三代半导体材料中成熟商用材料的典型代表，也是能源高效率、高频率新型电力电子芯片的重点新材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、航天等领域有重要应用价值。
此次开工建设的半导体产业园，着力打造世界级化合物功率芯片研发、制造与服务基地。产业园建设包括长晶、衬底、外延、芯片、封测等厂房，建成后，将形成我国首条碳化硅全产业链产线，研发6吋碳化硅导电衬底、4 吋半绝缘衬底、碳化硅二极管外延等。达产后，还有望形成超100亿元的产业规模，带动上下游配套产业产值超1000亿元，创造就业岗位超万个。
长沙高新区党工委书记周庆年称，第三代半导体产业园项目是长沙市委市政府举全市之力，引进的具全局性、基础性、战略性影响的重大项目。这一项目的落地，对长沙发展第三代半导体产业，优化“三智一芯”战略布局，和奠定长沙在全球碳化硅市场和化合物半导体领域的领先地位有重要影响和意义。
文稿来源：科技日报
