1700伏碳化硅场效应晶体管采用沟槽技术,使其具有该电压等级下最低的器件电容和门电荷。测试结果显示,与最先进的1500伏场效应晶体管相比,其功率损耗减少了50%以上,效率提高了2.5%,与其他1700伏碳化硅场效应晶体管相比,效率提高了0.6%。紧凑的表面安装组件可通过自然对流冷却而不需散热器,因此具有极低的器件电容和热损耗。
该器件与脉宽调制(PWM) 控制器兼容,可以在无栅极驱动芯片的情况下直接由反激控制器操作,同时满足印制电路板(PCB)设计规范,减少了设计的隔离工作。(国家工业信息安全发展研究中心李茜楠)