新型的GaN快充与传统快充相比，由于GaN充电器拥有更大的功率密度，所以能够实现更快的充电速度；同时，由于具有更高的能量转化效率，所以GaN快充具有更低的功耗并减少发热，此外，GaN功率器件的开关频率显着高于传统快充中的Si功率器件，因此可以实现体积更小的充电器产品设计，有望成为快充技术升级的重要方向。
氮化镓：第三代半导体材料
在国内，氮化镓被称为第三代半导体材料（又称为宽禁带半导体材料）。GaN的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si和GaAs，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。
目前第三代半导体材料以SiC和GaN为主。相较于SiC，GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。尽管耐压能力低于SiC器件，但优势在于开关速度快。同时，GaN如果配合SiC衬底，器件可同时适用高功率和高频率。
目前业界已推出多种快充技术方案，主要包括高通QuickCharge技术、OPPO VOOC闪充技术、联发科PumpExpress技术、华为Super Charge技术、vivo SUPER Flash Charge技术和USB3.1 PD充电技术等。随着智能手机等应用市场对快充产品需求的持续提升，快充产业将保持快速发展趋势。
氮化镓充电器最主要的成本来自于氮化镓MOS功率芯片，昂贵的原材料导致了消费级氮化镓充电器价格高昂，但氮化镓充电器是实现快充突破的关键，未来将成为各大主流手机厂商的标配，随着应用的逐步扩大，规模化效应会逐步凸显，成本将越来越低。未来如果苹果也开始采用氮化镓的充电器，氮化镓充电器的渗透率会加速上升。
2013年高通发布快充技术，起步阶段只是在手机充电器领域使用，一年之内成为安卓手机的标配。快充手机和充电器渗透率迅速提升。
无线充电起步阶段只在三星高端机使用，现在已经渗透到各品牌的旗舰机。预计氮化镓充电器，2020年只是在少数高端机型上作为标配产品，独立的氮化镓充电器是主要产品。根据快充和无线充电发展规律，预计2021年氮化镓充电器有望会成为旗舰手机标配。
随着技术的突破，产品价格降低，氮化镓成为最重要的半导体材料，使行业产生巨大变革，GaN（氮化镓）市场将迎来爆发。
氮化镓应用领域广泛
GaN应用领域广泛，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域；在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。
基站建设将是氮化镓市场成长的主要驱动力之一。Yoledevelopment数据显示，2018年，基站端氮化镓射频器件市场规模不足2亿美元，预计到2023年，基站端氮化镓市场规模将超5亿美元。氮化镓射频器件市场整体将保持23%的复合增速，2023年市场规模有望达13亿美元。
氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。
功率器件领域，GaN器件在高频、高转换效率、低损耗、耐高温上具有极大的优势，随着5G手机耗电量增加，大功率快充将成为标配，同时手机、笔电、平板电脑等终端产品充电器将趋于归一化。光电领域，GaN器件应用在LED、VCSEL传感器等领域。
Yoledevelopment数据显示，2018年GaN功率电子器件国内市场规模约为1.2亿元，尚处于应用产品发展初期，但未来市场空间有望持续拓展，在市场乐观预期下2023年GaN功率电子市场规模有望达到4.24亿美元。氮化镓射频市场规模将于2023年增长至13亿美元，复合增速为22.9%。下游应用结构整体保持稳定，以通讯与军工为主，二者合计占比约为80%。.
氮化镓主要增长点：电源和射频芯片
电源和射频芯片是GaN主要增长点：
1.电源芯片将是GaN短期推动力
在电源芯片方面（主要是充电器芯片），受到小米，VIVO等厂商的推动，充电器将会成为GaN市场发展的短期推动力。伴随着GaN产量的上升，GaN芯片的制造成本也会快速下降，形成消费电子类GaN市场。
根据材料深一度援引Yole数据，2018年GaN功率器件国际市场规模中，电源设备领域占比55%，其次是激光雷达，占比达到26%，其他下游应用如包络跟踪、无线电源等。GaN在电源设备的应用还包括手机的快速充电及无线充电等，随着消费电子朝小型化，智能化发展，GaN将拥有更多应用场景。电源驱动芯片主要厂商有：圣邦股份和富满电子等。
2.射频芯片将是GaN长期推动力
射频领域是GaN目前渗透率较高、未来发展前景大的产业，尤其是用于价格敏感度较低的基站建设和改造，GaN射频芯片已经在少部分基站投入使用，由于GaN耐压高，高频特性好，特别是在毫米波上的的优势，在5G基站领域需求强烈。
氮化镓将占射频器件市场半壁江山。在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。
据YoleDevelopment数据，目前GaN在射频市场（除手机PA）的市占率超过20%，未来GaN将替代LDMOS，预计通信领域RF用GaN市场规模将从2017年的1.5亿美元增长到2023年的5.6亿美元。
在军用市场，GaN射频器件需求快速增长，根据《第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策》数据，仅战斗机雷达对GaN射频功率模块的需求就将达到7500万只。
目前，美国海军新一代干扰机吊舱及空中和导弹防御雷达（AMDR）已采用GaN射频功放器件替代GaAs器件。根据该期刊论文援引Yole的预测，2020年末，GaN射频器件市场规模将达到7.5亿美元，年均复合增长率20%。
氮化镓产业链将迎快速发展
随着智能手机等应用市场对快充产品需求的持续提升，快充产业将保持快速发展趋势，相关产业链公司有望率先受益。快充产业链的上游为快充方案设计，以及GaN、电容器、连接器及线束、充电接口等电子原材料或电子元器件，中游为充电器模块、快充芯片、电源管理芯片、电芯和电芯PACK，下游则为各类充电应用。
其中GaN（氮化镓）产业链包括上游原材料、中游器件模块和下游应用。
上游原材料基本包括衬底、外延片
衬底厂商主要有：苏州纳维、东莞中镓、住友电气、三菱化学等；
外延片厂商有：晶湛半导体、江苏能华、华功半导体、大连芯冠、英国IQE、美国Allos等。
国外主要厂商方面，硅基衬底主要供应商有德国Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu等企业，而日本的NTT-AT、比利时的EpiGaN和英国的IQE等则是硅基GaN外延片的主要供应商。部分厂商则在产业链上延伸，同时生产外延片及器件制造，例如Episil、Bridg、Fujitsu等。
中游器件模块环节包括设计、制造、封测、IDM
设计厂商主要有：海思半导体、中兴微电子、安谱隆等、Dialog等；
制造环节厂商主要有：三安光电、台积电等；
封测厂商有：富满电子等；
IDM厂商有：士兰微、英飞凌、恩智浦、住友电气等；
下游应用包括消费电子、数据中心、电源、电力电子。
目前主流氮化镓生产厂家依旧集中在美、欧、日等国，我国企业尚未进入供给端第一梯队。
初创型的公司比如EPC，Transphorm，GaN system和Navitas主要选择fabless模式，代工厂有台积电，Episil。EPC宣布低压晶圆级封装产品价格和硅相同。同时传统的IDM公司比如德州仪器，英飞凌，意法半导体和松下等也参与竞争，比如英飞凌在2018年批量600V E-mode HEMT，意法半导体和CEA Leti合作8寸的GaN-on-Si技术。
氮化镓刺激功率半导体市场繁荣
在今年的CES2020上，包括Anker在内的30家厂商推出了66款氮化镓快充产品。现在小米再紧接着推出氮化镓充电器，将把这个市场需求进一步扩大。伴随着GaN在消费电子行业中的普及，GaN芯片的设计、制造成本将快速下降，进一步刺激市场应用普及。
氮化镓领域的投资机会将呈现由点到面，多领域相互促进的态势。第一层，GaN充电器已经走进消费电子，将迎来快速爆发；第二层，疫情过后，国内市场5GSub-6GHz基站建设需求加速回补，美国市场5G毫米波建设如期推进，全球5G基站建设将刺激射频GaN和电源GaN的应用普及；第三层，随着GaN产品在消费电子渗透率提升和5G基建刚需的带动下，成本下降，应用场景将进一步扩大到新能源汽车、激光雷达、数据中心等，从而刺激功率半导体市场繁荣。
