硅基氮化镓LED技术具有众多优势，比如可大幅降低制造成本，提高散热表现等，与LED的未来发展密切相关，该技术也是业界一直关注的方向。中国科学院院士、南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心教授江风益带来了“从硅基氮化镓LED进展看半导体照明未来”的主题报告，分享了硅基氮化镓LED的最新进展以及半导体照明更广阔的可能性。
在我国国内，中国科学院院士、南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心教授江风益在硅基氮化镓LED方向取得了开拓性、系统性、创造性成就，带领团队在国际上率先研制成功高光效硅基氮化镓蓝光、绿光和黄光LED材料与芯片，并实现了产业化，获国家技术发明奖一等奖和全球半导体照明年度新闻奖。
报告中，江风益分享了当前硅基氮化镓LED基础性工作、硅基氮化镓LED突破性进展，以及半导体照明的发展。涉及网格衬底技术、位错利用、薄膜转移技术、黄光鸿沟、自主研制装备、V形坑技术、三维V形pn结、发光光谱与内量子效率，无荧光粉、无蓝光、低色温LED氛围灯，紫外与红黄光LED等多个热点话题。
当前，实现了硅基氮化镓LED从装备到材料、芯片、应用完整技术链和产品链。发展了一系列新技术，包括自主研制专用MOCVD、新型准备层、三维V形pn结等，解决了高铟组分铟镓氮材料生长难题。铟镓氮长波段LED取得了突破性进展：获得了高光效黄光LED，达到实用化水平，已应用于无荧光粉纯LED照明；0.05 A/cm2电流密度下，615nm铟镓氮红光LED光效达到14.7%，有望应用于μLED显示。
展望半导体照明，LED技术仍是一片蓝海，固态照明有更高的品质需求，不同技术之间融合可催生更多的应用方向，LED技术本身仍存在大量单元技术有待攻克。
