- 郑州大学副教授杨珣：金刚石深紫外光电探测器研究
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- 大连理工大学副教授张赫之：利用高Al组分β-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量β-Ga2O3厚膜
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- 西安电子科技大学张金风教授：MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术
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- 中国电科首席科学家冯志红：金刚石微波功率器件进展
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- 南京大学汪正鹏：NiO/Ga2O3异质结二极管中深能级陷阱和载流子输运机制
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- 湖北大学何云斌教授：MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究
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- 复旦大学微电子学院教授卢红亮：Ga2O3光电二极管的可控制备及应用
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- 中国科学院半导体所研究员张兴旺：超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件
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- 北京大学工学院特聘研究员宋柏：超高热导率立方砷化硼和氮化硼晶体
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- 国家纳米科学中心研究员刘新风：利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率
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- 西安电子科技大学韩根全教授：氧化镓异质结功率晶体管
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- 中山大学佛山研究院院长王钢教授：新型宽禁带压电半导体材料ε-Ga2O3及其在射频谐振器中的应用
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- 沙特阿卜杜拉国王科技大学陆义：面向柔性和垂直电子器件的外延氧化镓薄膜
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- 西安电子科技大学周弘教授：氧化镓功率器件耐压和功率优值的研究
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- 镓敏光电董事长、南京大学教授陆海：氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用
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- 第八届国际第三代半导体论坛开幕式嘉宾致辞
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- 天马微电子秦锋：Micro-LED显示产业化进展与挑战
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- 蔚来汽车功率半导体设计团队负责人、高级总监李道会： 宽禁带半导体助推电动汽车进程
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- 美国工程院院士Fred LEE教授： Is WBG a Game Changer for Power Electronics Industry
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- 中国电子科技集团首席专家柏松：SiC功率MOSFET技术及应用进展
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