- 浙江大学特聘研究员任娜：1200V SiC MOSFET抗辐射可靠性研究
- 2023-05-22807 次播放
- 中电48所巩小亮： SiC功率器件制造装备技术及发展趋势
- 2023-05-22921 次播放
- 杨霏：6500V SiC MOSFET器件研制及电力电子变压器工程应用
- 2023-05-22930 次播放
- 鼎泰芯源晶体董事长赵有文：高质量磷化铟和锑化镓衬底制备技术进展及批量生产
- 2023-05-221018 次播放
- 河北工业大学教授张紫辉：GaN半导体垂直腔面激光器的仿真设计与分析
- 2023-05-22816 次播放
- 云南锗业公司首席科学家惠峰：高品质磷化铟衬底对激光器性能影响研究
- 2023-05-221152 次播放
- 厦门大学助理教授梅洋：GaN基微腔激光器的制备
- 2023-05-22675 次播放
- 仕佳光子科技有源产品技术总监黄永光：激光雷达用的1550nm磷化铟半导体激光器
- 2023-05-22851 次播放
- 中电科十三所基础研究部主任房玉龙：使用MOCVD生长的QCL激光器
- 2023-05-221303 次播放
- 升谱光电副总经理林胜：GaAs VCSEL 先进封装技术进展及应用
- 2023-05-22878 次播放
- 中国科学院苏州纳米所研究员刘建平：氮化镓基激光器和超辐射管研究进展
- 2023-05-22986 次播放
- 长光华芯首席技术官王俊：激光雷达用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片
- 2023-05-22876 次播放
- 波兰高压物理研究所研究员Mike LESZCZYNSKI：基于蓝光半导体激光器的新器件：SWOT分析
- 2023-05-22555 次播放
- 中国科学技术大学周凯：基于表面电位的β-Ga2O3功率MOSFET紧凑模型
- 2023-05-19992 次播放
- 思体尔软件副总经理付昊：超宽禁带半导体氧化镓及金刚石的晶体生长模拟研究
- 2023-05-19876 次播放
- 香港科技大学副教授黄文海：横向和纵向β-Ga2O3功率MOSFET的十年进展
- 2023-05-19874 次播放
- 山东大学副教授穆文祥：β-Ga2O3单晶的体晶生长与性能
- 2023-05-19941 次播放