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视频报告 2017-- 英国IQE集团副总裁Wayne JOHNSON :启用先进技术
2021-04-29
1224 次播放
视频报告 2018--美国国家工程院院士Umesh K. MISHRA教授:GaN技术带来突破性能量转化效率及射频应用新格局
2021-04-29
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【视频报告 2018】株洲中车戴小平:多电飞机平面封装型碳化硅功率模块
2021-04-29
1568 次播放
【视频报告 2018】基本半导体张振中:高性能 3D SiC JBS 二极管
2021-04-29
1250 次播放
【视频报告 2018】Victor Veliadis教授:10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响
2021-04-29
1854 次播放
【视频报告 2018】Mietek BAKOWSKI教授:WBG电力设备的现状和采用前景
2021-04-29
987 次播放
【视频报告 2018】Adolf SCHÖNER:10千伏高压4H碳化硅PIN二极管的少子寿命调制
2021-04-29
1246 次播放
【视频报告 2018】P.S. RAGHAVAN教授:碳化硅衬底技术的最新进展
2021-04-29
2463 次播放
【视频报告 2018】周达成教授:碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性
2021-04-29
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【视频报告 2018】香港应科院袁述:新一代碳化硅矩阵变换器
2021-04-29
785 次播放
【视频报告 2018】中电科电子装备集团有限公司张丛:国产离子注入机发展及应用
2021-04-29
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【视频报告 2018】南京大学陈琳:6英寸GaN衬底生长用HVPE反应腔的三维数值模拟
2021-04-29
1357 次播放
【视频报告 2018】西安电子科技大学赵子越博士:基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
2021-04-29
1317 次播放
【视频报告 2018】敖金平教授:用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管
2021-04-29
2312 次播放
【视频报告 2018】苏州能讯李元:以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性
2021-04-29
865 次播放
【视频报告 2018】中科院半导体研究所张韵研究员:III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器
2021-04-29
1268 次播放
【视频报告 2018】河北半导体研究所李静强高工:GaN 内匹配封装器件仿真技术研究
2021-04-29
844 次播放
【视频报告 2018】台湾长庚大学邱显钦教授:适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
2021-04-29
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【视频报告 2018】四川益丰王祁钰:100nm 和60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品
2021-04-29
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【视频报告 2018】日本名城大学副教授Motoaki IWAYA :基于AlGaN 激光的发展现状
2021-04-29
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