- 西安电子科技大学副校长、教授张进成:高功率宽禁带半导体射频器件研究进展
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- 华润微电子有限公司总裁李虹: 融通半导体产业链 构建应用创新生态圈
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- 濱田公守:最新高性能SiC MOSFET技术助力未来SiC市场的发展趋势
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- 北京大学理学部副主任、特聘教授沈波: 基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件
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- 美国 PowerAmerica 执行董事兼CTO Victor VELIADIS:加快碳化硅芯片和电力电子器件的商业化发展
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- 2024年度中国第三代半导体技术十大进展
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- 中国科学院院士杨德仁：半导体材料产业的现状和挑战
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- 北方华创张轶铭：面向SiC功率器件的装备与工艺解决方案
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- 普兴电子市场总监张国良：大直径碳化硅外延市场发展与挑战
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- 山东大学教授、南砂晶圆董事陈秀芳：碳化硅单晶缺陷研究及产业化进展
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- 浙江大学教授皮孝东：提拉式物理气相传输法制备碳化硅单晶
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- AIXTRON中国总经理方子文：化合物半导体外延大规模量产解决方案
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- 韩国东义大学教授Won-Jae LEE：SiC单晶的坩埚结构及PVT生长工艺条件的改进
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- Victor VELIADIS教授：硅晶圆厂中的SiC制造
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- 西安电子科技大学教授周弘：AlN基高压高频功率器件研究进展及挑战
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- 中科重仪半导体联合创始人姚威振：GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究
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- 中科院苏州纳米所研究员孙钱：衬底GaN基光电材料外延生长
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- 南京大学刘欢：等离子体辅助分子束外延生长AlN薄膜
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- 辰华半导体郭炳磊：用于氮化镓异质外延的高温PVD氮化铝缓冲层技术
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- 中电科第十三所高级工程师韩颖：6英寸复合衬底上厚GaN外延生长研究
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