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- 南京大学刘欢：等离子体辅助分子束外延生长AlN薄膜
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- 辰华半导体郭炳磊：用于氮化镓异质外延的高温PVD氮化铝缓冲层技术
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- 中电科第十三所高级工程师韩颖：6英寸复合衬底上厚GaN外延生长研究
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- 日本NTT基础研究实验室负责人谷保芳孝：氮化铝基半导体材料及器件的最新进展
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- 中国科学院苏州纳米所、研究员任国强：氨热法氮化镓单晶生长研究进展及面临的挑战
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- 中电科四十六所新材料研发中心副主任程红娟：氮化铝单晶材料研究进展与应用展望
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- 思体尔总经理LAMBRINAKI MARIIA：基于量产的氮化镓基光电子及功率器件的外延建模
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- 士兰微电子功率系统应用技术高级经理朱晓慧：高性能SiC解决方案赋能新一代主驱应用
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- 芯聚能半导体总裁周晓阳： 碳化硅产业的机遇与挑战
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- 英飞凌主任工程师张浩：英飞凌最新车规SiC产品与应用
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- 安世半导体中国区SiC战略及业务负责人王骏跃：安世碳化硅，绿色出行和绿色能源发展的助推器
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- 中车科学家刘国友：轨道交通SiC功率器件研究与应用进展
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- 长城汽车投资总监耿伟：国产化芯片机会和长城汽车布局
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- 艾姆希半导体销售总监赵志强：第四代半导体材料平坦化研究进展
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- 弗吉尼亚理工大学电力电子中心副教授张宇昊:面向的Ga2O3功率器件应用：封装、鲁棒性和多维器件
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- 大连理工大学副教授张赫之:氧化镓中缺陷扩展及模型
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- 深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华:超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究
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- 南京大学教授叶建东: 氧化镓高导热异质集成射频器件
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