- 广东省科学院半导体研究所教授，新型显示团队负责人龚政：基于光响应聚合物的Micro-LED可编程巨量组装技术研究进展
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- 上海交通大学教授郭小军：面向柔性显示与传感的有机薄膜晶体管器件与阵列集成
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- 复旦大学副教授田朋飞：基于InGaN基硅衬底Micro-LED的多色集成转移印刷技术
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- 清华大学信息电子工程系光电子研究所所长汪莱：面向AR微显示应用的超小尺寸氮化物Micro-LED研究
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- 北京大学教授、北大东莞光电研究院院长王新强：蓝宝石衬底InGaN基红色LED及MicroLED
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- 中电科55所刘奥：SiC MOSFET热阻精确测量技术研究
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- 武汉大学研究员张召富：4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理
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- 贺利氏电子中国区研发总监张靖：Condura.ultraTM无银AMB氮化硅基板---车规级功率模块用高性价比解决方案
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- 芯干线市场总监孔令涛：GaN HEMT与SIC MOSFET在户用储能PCS方向应用优势
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- 西安电子科技大学副教授孙乐嘉：SiC等离子体波脉冲功率器件与应用研究
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- 博睿光电副总经理梁超：面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板
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- 东南大学教授刘斯扬：电热应力下碳化硅功率MOSFET损伤的多尺度探测表征方法
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- 复旦大学副研究员雷光寅：比电阻3.3毫欧.平方厘米的1200伏14毫欧SiC MOSFET
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- 北方华创第一刻蚀事业部副总经理谢秋实：等离子刻蚀技术在第三代化合物半导体领域的应用
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- 浙江大学特聘研究员任娜：1200V SiC MOSFET抗辐射可靠性研究
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- 中电48所巩小亮： SiC功率器件制造装备技术及发展趋势
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- 杨霏：6500V SiC MOSFET器件研制及电力电子变压器工程应用
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- 鼎泰芯源晶体董事长赵有文：高质量磷化铟和锑化镓衬底制备技术进展及批量生产
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