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深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华:超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究
2025-01-09  播放:581


 超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究

Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN

张道华——深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士

ZHANG Daohua——Chief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore

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