当前，人们对于绿色、环保、安全的重视度在不断的提高，随着全球化加速发展，公共卫生风险对人口流动和经济活动造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。基于第三代半导体氮化镓材料的紫外LED光源具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、光谱可定制等优势，成为维护公共卫生安全的重要力量。紫外LED是半导体光电产业发展的新蓝海，“双碳”战略也给包括紫外LED产业在内的绿色环保节能产业带来新的发展契机。当前氮化物深紫外LED仍面临来自深紫外专用的MOCVD设备，低缺陷密度的高AI组分氮化物材料、深紫外波段的封装材料与工艺等方面的技术挑战。李晋闽研究员在报告中全面详细分享了氮化物深紫外LED技术研发进展与发展趋势，氮化物深紫外LED应用示范与产业机遇。报告指出，未来氮化物深紫外LED技术将向新型高效量子结构设计、量子阱极性调控技术、高电导率透明p型AIGaN层制备技术，纳米结构深紫外波段透明等方向发展。应用领域也将呈现多场景多样态以及平台化等趋势。