MOCVD2022
中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林 院士:第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学
2023-05-22  播放:1988


 宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构,因而表现出显著的压电特性,长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究,相关的理论体系得以建立,诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上,王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享,报告结合具体的数据内容,分享了当前压电学的研究进展与最前沿的研究成果,涉及压电学的多种效应,同时从压电学与第三代半导体材料和应用发展关联性的原理角度,带来不同新视角的启发。

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