常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生长的多种方法，难点解决以及研究成果。涉及报告指出，未来向更高功率密度，更小的芯片发展，需要高质量的同质外延技术，氮化镓单晶衬底的发展，距离全面的市场成熟，仍然需要更大力度的创新研究。