以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。

沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分享了蓝宝石上AIN AIGaN的外延生长和p型/n型掺杂，Si上GaN、AIN的外延生长的最新研究进展和成果。提出了多种有针对性的的外延生长和p型/n型掺杂方法，发明了多种有针对性的外延生长方法。报告指出，由于异质外延体系大失配，强极性的特征，氮化物的半导体的外延生长和掺杂依然面临一系列关键科学技术问题，需从生长动力学，缺陷物理和应力控制等角度开展系统的研究。