MOCVD2022
中电科13所高楠:MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料
2023-05-27  播放:656


 MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料

高楠,房玉龙*,尹甲运,张志荣,王波,李佳,芦伟立,陈宏泰,牛晨亮

中国电子科技集团公司第十三研究所

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