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大连理工大学教授王德君:SiC MOS器件氧化后退火新途径——低温再氧化退火技术
2022-11-21  播放:687


 SiC MOS器件氧化后退火新途径——低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology

王德君——大连理工大学教授

Wang Dejun——Professor of Dalian University of Technology 

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