WBSC 2021
张皇澍:A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si
2024-09-09  播放:197


 “A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si”

作者:李孟达,张皇澍,杨志坚,吴洁君,于彤军
单位:北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心
 
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