作者：刘婷, 渡边浩崇 ,新田州吾,王嘉,于国浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫
单位：名古屋大学未来材料·系统研究所，名古屋大学电子学系，北京化工大学数理学院
刘婷：Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped
2022-01-05 播放:78
“Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer”