返回
WBSC 2021
刘建勋:大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究
2022-01-05 播放:
251
《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》
作者:刘建勋,詹晓宁,孙秀建,黄应南,高宏伟,孙钱,杨辉
单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
打赏
发表评论
0评