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WBSC 2021
黄思溢：基于水平常压式MOCVD的低温p-GaN生长与性能表征
2022-01-05 播放:
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《基于水平常压式MOCVD的低温p-GaN生长与性能表征》
作者：黄思溢，池田昌夫，张名龙，张峰，朱建军，刘建平，杨辉
单位：中国科学院苏州纳米所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
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