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余佳东：等离子体密度对ICP-MOCVD生长GaN薄膜的影响
2022-01-05 播放:
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《等离子体密度对ICP-MOCVD生长GaN薄膜的影响》
作者：余佳东，罗毅，王健，张子轩，李翔，汪莱，郝智彪
单位：北京信息科学与技术国家研究中心，清华大学电子工程系
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