《非极性(11-20)面P型GaN和全组分InGaN的MOCVD生长与研究》

 

作者：赵见国，陈凯，胡文晓，宫毛高，刘斌，陶涛，谢自力，严羽，张荣，郑有炓

 

单位：南京大学电子科学与工程学院，南京信息工程大学电子与信息工程学院，厦门大学