深紫外(DUV)和极深紫外(EUV)探测器在光刻、天文监测以及国防预警等诸多领域具有非常广阔的应用前景。在适用于DUV和EUV探测的所有宽禁带半导体材料中，碳化硅(SiC) 因其可见光盲、漏电流低和抗辐射性能好等优良特性能而受到了广泛的关注。南京大学王致远做了题为“用于DUV和EUV探测的高性能SiC肖特基势垒光电二极管”的主题报告，结合具体的实验研究，制备了一种大尺寸、低漏电的Ni/SiC肖特基二极管，并对其在DUV和EUV波段的光电探测性能进行了表征分析。