厦门大学高娜带来了题为“可原子尺度精确调控的AlN/GaN结构分选生长”的主题报告，从晶体生长热力学角度出发，采用第一性原理模拟了原子反应单体在晶体生长表面的化学势，以揭示反应单体随生长氛围变化的规律。结合具体的研究，所生长的AlN/GaN结构界面陡峭清晰且原子层量级可辨，实现了对生长单体的分选，达到吸附单体的一致和原子级表面平整度，为紫外和深紫外波段内不同单色波长的高精度量子结构制备奠定了材料基础。