郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF介绍了采用n-AlxGa1-xN低波导层连续分级生长的深紫外纳米线激光二极管光学约束优化的研究成果。研究针对深紫外纳米线激光器提出了一种连续渐变的AlxGa1-xN低波导层结构。其新型结构的Al的占比从75%降低到66%，性能对比的就是75%的Al成分AlxGa1-xN激光器。结果显示n型低波导层的分级抑制了光场的泄露并增加了电子的迁移，由于偏振电场的产生，所有的场都集中在整个活动区域附近，其导致了非常强的光约束性。