为了使基于AlGaN材料的深紫外LED能够更广泛地应用于固化、水和空气的净化及医疗消毒等各方面，必须要大幅地降低其成本。提高深紫外LED的性能和增大单炉产能是实现更低成本的两个关键因素。中微半导体设备（上海）股份有限公司主任工艺工程师胡建正分享了基于中微Prismo HiT3TM MOCVD设备的深紫外LED结构优化。与电光转化效率超过70%的基于InGaN材料的蓝白光LED相比，深紫外LED，尤其是UVC LED的效率还有很大的差距。中微设计的Prismo HiT3TM MOCVD平台能够单炉生长高达18片2英寸或者4片4英寸UVC LED，并且具有较长的维护周期。报告分享了在Prismo HiT3TM上采用纳米图形衬底(NPSS)进行基于AlGaN材料的UVC LED的生长和结构优化方面的成果。