挪威科学技术大学教授，挪威科学技术院院士Helge WEMAN带来了题为“采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED”的主题报告，介绍了石墨烯衬底AlGaN纳米线外延生长技术。他表示，该技术比现有的薄膜技术更有优势。由于现阶段深紫外LED缺乏足够好的透明电极、高位错密度、大部分采用比较贵的AlN衬底和AlN缓冲层等原因，因此价格都很高，而且发光效率低。首个用于论证的采用倒装结构的UV LED已经完成，其采用的是双层石墨结构，其GaN/AlGaN的纳米线采用MBE的技术进行生长，这种纳米线具有很高的晶体质量，并没有很明显的缺陷和应力问题。目前检测的结果显示这种LED的发射波峰在365nm并没有相关的缺陷黄光。